| 11652078 12288 3054 948 1дии динамич. равновесия между фруктозо-1,6-дифос-фатом и фосфотриозами, т. е. не происходит образования богатого энергией соединения - 1,3-дифосфоглицериновой к-ты. В основе ингибирования ферментативных процессов М. к. лежит её присоединение к сульфгидрильной группе (-SH) фермента с освобождением HI.
Лит.: Уэбб Л., Ингибиторы ферментов и метаболизма, пер. с англ., М., 1966.
С. Е. Северин.
МОНОКАРПИЧЕСКИЕ РАСТЕНИЯ (от моно... и греч. karpos - плод), растения, к-рые цветут и плодоносят раз в жизни, после чего обычно погибают. К М. р. относятся все одно- и двулетние растения, из многолетних - нек-рые виды бамбука, пальм, ферулы, агавы и др.
МОНОКЛИНАЛЬ [от моно... и греч. klino - наклоняю(сь)], форма залегания слоев горных пород, характеризующаяся их пологим наклоном в одну сторону. Представляет собой обычно крыло к.-л. обширного и пологого поднятия или прогиба слоев. М. особенно характерны для платформ, где они приурочены к крыльям антеклиз и синеклиз. Примером М. является структура, образуемая палеозойскими толщами от юж. склона Балтийского кристаллического щита к центру Московской синеклизы; наклон слоев исчисляется в 2-2,5 л на I км длины.
МОНОКЛЬ (франц. monocle, от греч. monos- один и лат. oculus-глаз), 1) очковая линза в оправе или без неё, вставляемая в глазную впадину. 2) Простейший фотографич. объектив, представляющий собой одиночную положительную линзу типа мениск. Применялся гл. обр. в недорогих фотоаппаратах преим. для портретной и пейзажной съёмок. Наилучшее качество изображения обеспечивает выпукло-вогнутый мениск, обращённый выпуклой поверхностью к фотослою, с диафрагмой, расположенной перед объективом. М. имеют малое относит, отверстие (не более 1 : 8) и небольшой угол поля изображения (не более 25°). М. называют также ландшафтной линзой.
МОНОКОРУНД, искусственный абразивный материал, разновидность электрокорунда с содержанием в зерне 97-98% А12О3.
МОНОКРИСТАЛЛ, отдельный однородный кристалл, имеющий непрерывную кристаллич. решётку и характеризующийся анизотропией свойств (см. Кристаллы). Внешняя форма М. обусловлена его атомнокристаллич. структурой и условиями кристаллизации. Часто М. приобретает хорошо выраженную естеств. огранку, в неравновесных условиях кристаллизации огранка проявляется слабо. Примерами огранённых природных М. могут служить М. кварца, каменной соли, исландского шпата, алмаза, топаза. От М. отличают поликристаллы. и поликристаллич. агрегаты, состоящие из множества различно ориентированных мелких М.
М. ценны как материал, обладающий особыми физ. свойствами. Напр., алмаз и боразон предельно тверды, флюорит прозрачен для широкого диапазона длин волн, кварц - пьезоэлектрик (см. Пьезоэлектричество). М. способны менять свои свойства под влиянием внеш. воздействий (света, механич. напряжений, электрич. и магнитного полей, радиации, темп-ры, давления). Поэтому изделия и элементы, изготовленные из М., применяются в качестве различных преобразователей в радиоэлектронике, квантовой электронике, акустике, вычислит, технике и др. Первоначально в технике использовались природные М., однако их запасы ограничены, а качество не всегда достаточно высоко. В то же время многие ценные свойства были найдены только у синтетич. кристаллов. Поэтому появилась необходимость искусственного выращивания М. Исходное вещество для выращивания М. может быть в твёрдом (в частности, в порошкообразном), жидком (расплавы и растворы) и газообразном состояниях.
Известны след, методы выращивания М. из расплава: а) Стокбаргера; б) Чох-ральского; в) Вернейля; г) зонной плавки. В методе Стокбаргера тигель с расплавом. 1 перемещают вдоль печи 3 в вертикальном направлении со скоростью 1-20 мм/ч (рис. 1). Темп-pa в плоскости диафрагмы 6 поддерживается равной темп-ре кристаллизации вещества. Т. к. тигель имеет конич. дно, то при его медленном спускании расплав в конусе оказывается при темп-ре ниже темп-ры кристаллизации, и в нём происходит образование (зарождение) мельчайших кристалликов, из к-рых в дальнейшем благодаря геометрич. отбору выживает лишь один. Отбор связан гл. обр. с анизотропией скоростей роста граней М. Этот метод широко используется в пром. произ-ве крупных М. флюорита, фтористого лития, сернистого кадмия и др.
Рис. 1. Схема аппарата для выращивания монокристаллов по методу Стокбаргера: 1 - тигель с расплавом; 2 - кристалл; 3 - печь; 4 - холодильник; 5 - термопара; 6 - диафрагма.
В методе Чохральского М. медленно вытягивается из расплава (рис. 2). Скорость вытягивания 1-20 мм/ч. Метод позволяет получать М. заданной кристал-лографич. ориентации. Метод Чохральского применяется при выращивании М. иттриево-алюминиевого граната, ниобата лития и полупроводниковых М. А.В. Степанов создал на основе этого метода способ для выращивания М. с сечением заданной формы, к-рый используется для произ-ва полупроводниковых М.
Метод Вернейля бестигельный. Вещество в виде порошка (размер частиц 2-100 мкм) из бункера / (рис. 3) через кислородно-водородное пламя подаётся на верхний оплавленный торец затравочного монокристалла 2, медленно опускающегося с помощью механизма 5. Метод Вер-нейля - основной пром. метод произ-ва тугоплавких М.: рубина, шпинелей, рутила и др.
Рис. 2. Схема аппарата для выращивания монокристаллов по методу Чохральского: 1 - тигель с расплавом; 2 -кристалл; 3-печь; 4 - холодильник; 5 - механизм вытягивания.
В методе зонной плавки создаётся весьма ограниченная по ширине область расплава. Затем благодаря последовательному проплавлению всего слитка получают М. Метод зонного проплавле-ния получил широкое распространение в произ-ве полупроводниковых М. (В. Дж. Пфанн, 1927), а также тугоплавких металлич. М. молибден, вольфрам и др.
Рис. 3. Схема аппарата для выращивания монокристаллов по методу Вернейля: 1 - бункер; 2 - кристалл; 3 - печь; 4 - свеча; 5 - механизм опускания; 6 - механизм встряхивания.
Методы выращивания из раствора включают 3 способа: низкотемпературный (растворители: вода, спирты, кислоты и др.), высокотемпературный (растворители: расплавленные соли и др.) И гидротермальный. Низкотемпературный кристаллизатор представляет собой сосуд с раствором 1, в к-ром создаётся пересыщение, необходимое для роста кристаллов 2 путём медленного снижения темп-ры, реже испарением растворителя (рис. 4). Этот метод используется для получения крупных М. сегнетовой соли, дигидрофосфата калия (KDP), нафталина и др.
Рис. 4. Схема низкотемпературного кристаллизатора: 1 - раствор; 2 - кристалл; 3 - печь; 4 - термостат; 5 - мешалка; 6 - контактный термометр; 7 - терморегулятор.
Высокотемпературный кристаллизатор (рис. 5) содержит тигель с растворителем и кристаллизуемым соединением, помещённый в печь. Кристаллизуемое соединение выпадает из растворителя при медленном снижении темп-ры (р а с-твор-расплавная кристал-л и з а ц и я). Метод применяется для получения М. железоиттриевых гранатов, слюды, а также различных полупроводниковых плёнок.
Рис. 5. Схема высокотемпературного кристаллизатора: 1 - раствор; 2-кристалл; 3 -печь; 4 - тигель.
Гидротермальный синтез М. основан на зависимости раство-рим ости вещества в водных растворах кислот и щелочей от 2 давления и температуры. Необходимые для образования М. концентрация вещества в растворе и пересыщение создаются за счёт высокого давления (до 300 Мн/м2или 3000 кгс/сл2) и перепадов темп-ры между верхней (Т1~250°С) нижней (Т2~500 °С) частями автоклав (рис. 6). Перенос вещества осуществляете конвективным перемешиванием. Гидротермальный синтез является осн. процессом произ-ва М. кварца.
Рис. 6. Схема автоклава для гидротермального синтеза: 1 - раствор; 2 -кристалл; 3 - печь; 4 -вещество для кристаллизации.
Методы выращивания М. из газообразного вещества: испарение исходного вещества в вакууме с последующие осаждением пара на кристалл, причём осаждение поддерживается определённы! перепадом темп-ры Т (рис. 7,а); испарение в газе (обычно инертном), перенос кристаллизуемого вещества осуществляет ся направленным потоком газа (рис. 7, б)осаждение продуктов хим. реакций, прс исходящих на поверхности затравочног М. (рис. 7,в). Метод кристаллизации и газовой фазы широко используется для получения монокристальных плёнок и микрокристаллов для интегральных схем и др. целей.
Рис. 7. Схема установки для кристаллизации из газовой фазы; пунктиром показано распределение температуры вдоль печи.
Выбор метода выращивания М. определяется требованием к качеству М. (количество и характер присущих М. дефектов). Различают макроскопич. дефек ты (инородные включения, блоки, напряжения) и микроскопические (дислокации примеси, вакансии; см. Дефекты в кри сталлах).
Существуют спец. методы уменьшения числа дефектов в М. (отжиг, выращивание М. на бездефектных затравочных кристаллах и др.).
При выращивании М. используются различные способы нагревания: омический, высокочастотный, газопламенный реже плазменный, электроннолучевой, радиационный (в т. ч. лазерный) и электродуговой.
Лит.: Б а к л и Г., Рост кристаллов, пер с англ., М., 1954; Л о д и з Р. А., Паркер Р. Л., Рост монокристаллов, пер с англ., М., 1973; М а л л и н Дж., Кристал лизация, пер. с англ., М., 1966; Шубни ков А. В., Образование кристаллов, М.-Л., 1947; его же, Как растут кристаллы, М.- Л., 1935; Пфанн [В. Дж.], Принципы зонной плавки, в кн.: Германий, сб. переводов, М., 1955 (Редкие металлы), с. 92. См. также лит. при ст. Кристаллизация.
X. С. Багдасаров.
МОНОКУЛЬТУРА в земледелии (от моно... и лат. cultura - возделывание, развитие), 1) единственная с.-х,
культура, возделываемая в х-ве. 2) Длительное, непрерывное (повторное) выращивание растений одного вида на одном и том же участке (поле, огород) без соблюдения севооборота (чередования культур). При М. ухудшаются физ. свойства почвы, уменьшается содержание гумуса; почва односторонне истощается (напр., длительное возделывание зерновых на одной и той же площади обедняет почву преим. фосфором, свёклы, картофеля - калием, бобовых -фосфором и кальцием), возникает эрозия почвы и т. п. Всё это резко (в 1,5-2 раза) снижает урожаи. Внесение удобрений лишь замедляет процесс. М. создаёт условия для интенсивного размножения приуроченных к возделываемой культуре сорных растений, вредных насекомых и возбудителей болезней. М. была характерна для отд. р-нов капиталистич. земледелия России, США, Канады и др. стран в нач. период освоения новых земель, когда на одном месте неск. лет подряд сеяли, напр., пшеницу, а затем участок забрасывали на много лет в залежь. В связи с интенсификацией земледелия от М. отказались (введение севооборотов).
Лит.: Земледелие, под ред. С. А. Воробьева, 2 изд., М., 1972.
В. Е. Егоров.
МОНОЛИНУРОН, N'-4-хлорфенил-N-метокси-N-метилмочевина, хим. средство для борьбы с сорными растениями. См. Гербициды.
МОНОЛИТ (от лоио... и греч. lithos -камень), цельная каменная глыба; сооружение или часть его, высеченные из цельного камня (напр., памятник). Монолитный - цельный, единый.
МОНОЛИТ ПОЧВЕННЫЙ, образец почвенного профиля с ненарушенным строением, включающий неск. или все осн. генетич. горизонты. Используются в качестве наглядных пособий для изучения почв в уч. заведениях, для демонстрации внеш. признаков почвенных типов и видов на выставках, в музеях, для лабораторных экспериментов. Стандартным считают М. п., помещаемый в деревянный ящик размером (в см) 100 X X 20 X 6 - 8. Распространены также плёночные М. п. толщиной до 1 см, используемые только для демонстрац. целей.
МОНОЛИТНЫЕ ЖЕЛЕЗОБЕТОННЫЕ КОНСТРУКЦИИ, см. Железобетонные конструкции и изделия.
МОНОЛОГ, монологическая речь (от моно... и греч. logos - слово, речь), вид речи, совсем или почти не связанной (в отличие от диалогич. речи; см. Диалог) с речью собеседника ни в содержат., ни в структурном отношении. Моно-логич. речь обладает гораздо большей степенью традиционности при выборе языковых, композиционных и др. средств, имеет, как правило, более сложное синтаксич. построение по сравнению с репликами в диалоге. В бытовом общении монологич. речь встре |
